高压垂直 GaN 器件的边缘终端设计
从主结边缘的电场拥挤出发，记录浮空场环、离子注入保护环及渐变几何参数对击穿特性的影响。
- 电场调控
- 场环终端
- 击穿电压
01 / NOTES
学术笔记
以问题为入口，整理器件原理、仿真方法、测试过程和数据分析。
沟槽 MOS 结构与界面态表征
围绕沟槽刻蚀、介质层和界面陷阱，整理侧壁与底部界面态分离、C–V 特性及迁移率提取方法。
- 沟槽刻蚀
- 界面态
- C–V
动态导通特性与高压可靠性
记录关态应力后的动态导通电阻、高温反偏、高压恒压应力，以及失效时间统计和寿命外推方法。
- 动态 Ron
- TDDB
- Weibull
02 / REPORTS
研究报告
以已发表工作为索引，逐步补充研究背景、关键结果和方法说明。
010203
2026 · IEEE Electron Device Letters
2.3-kV Vertical GaN Trench MOSFET with Variable Lateral Ion-implanted Guard Rings
渐变横向离子注入保护环重新分配器件边缘电场，实现 2.3 kV 级垂直 GaN 沟槽 MOSFET。
2026 · Acta Physica Sinica
Vertical GaN Schottky Barrier Diodes with Low Temperature Sputtered p-NiO Floating Field Rings for Edge Termination
采用低温溅射 p-NiO 浮空场环调控阳极边缘电场，兼顾终端工艺温度与器件阻断能力。
2026 · Physica Scripta
High performance vertical GaN TMBS rectifier with Al₂O₃/SiO₂ dielectric layer
通过 Al₂O₃/SiO₂ 复合介质层改善垂直 GaN 沟槽 MOS 势垒肖特基整流器的电学性能。
03 / ABOUT
关于本站
Research Notes 是一个持续更新的个人学术记录空间，聚焦垂直 GaN 功率二极管、沟槽 MOSFET、边缘终端、电场调控、界面态与可靠性。
内容以研究过程中形成的技术笔记和专题报告为主，强调明确的数据来源、分析方法与物理解释。